第壹章 緒論
1.1 模擬集成電路設計
1.2 字符、符號和術語
1.3 模擬信號處理
1.4 VLSI混合信號電路設計模擬舉例
1.5 小結
習題
參考文獻
第二章 CMOS技術
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是壹樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
2.1 基本MOS半導體制造工藝
2.2 PN結
2.3 COM晶體管
2.4 無源元件
2.5 關於CMOS技術的其他考慮
2.6 集成電路版圖
2.7 小結
習題
參考文獻
第三章 CMOS器件模型
3.1 簡單的MOS大信號模型
3.2 其他MOS管大信號模型的參數
3.3 MOS管的小信號模型
3.4 計算機仿真模型
3.5 亞閾值電壓區MOS模型
3.6 MOS電路的SPICE模擬
3.7 小結
習題
參考文獻
第四章 模擬CMOS子電路
4.1 MOS開關
4.2 MOS二極管/有源電阻
二極管又稱晶體二極管,簡稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是壹種具有單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內部有壹個PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的轉導性。壹般來講，晶體二極管是壹個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間電荷層，構成自建電場。當外加電壓等於零時，由於p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態，這也是常態下的二極管特性。
4.3 電流漏和電流源
4.4 電流鏡
4.5 基準電流和電壓
4.6 帶隙基準
4.7 小結
習題
參考文獻
第五章 CMOS放大器
運放是運算放大器的簡稱。在實際電路中，通常結合反饋網絡***同組成某種功能模塊。由於早期應用於模擬計算機中，用以實現數學運算，故得名“運算放大器”，此名稱壹直延續至今。運放是壹個從功能的角度命名的電路單元，可以由分立的器件實現，也可以實現在半導體芯片當中。隨著半導體技術的發展，如今絕大部分的運放是以單片的形式存在。現今運放的種類繁多，廣泛應用於幾乎所有的行業當中。
5.1 反相器
5.2 差分放大器
5.3 ***源***柵放大器
5.4 電流放大器
5.5 輸出放大器
5.6 商增益放大器結構
5.7 小結
習題
參考文獻
第六章 CMOS運算放大器
6.1 CMOS運算放大器設計
6.2 運算放大器的補償
6.3 兩級運算放大器設計
6.4 兩級運算放大器的電源抑制比
6.5 ***源***柵運算放大器
6.6 運算放大器的仿真與測量
6.7 運算放大器的宏模型
6.8 小結
習題
參考文獻
第七章 高性能CMOS運算放大器
……
第八章 比較器
第九章 開關電容電路
第十章 數模和模數轉換器