IGBT單管和MOS管的區別：
1、從結構來說，以N型溝道為例，IGBT與MOSFET（VDMOS）的差別在於MOSFET的襯底為N型，IGBT的襯底為P型。
2、從原理上說IGBT相當與壹個mosfet和壹個BIpolar的組合，通過背面P型層的空穴註入降低器件的導通電阻，但同時也會引入壹些拖尾電流等問題。
3、從產品來說，IGBT壹般用在高壓功率產品上，從600V到幾千伏都有；MOSFET應用電壓相對較低從十幾伏到1000左右。
MOS就是MOSFET的簡稱
擴展資料：
首先考察壹個更簡單的器件——MOS電容——能更好的理解MOS管。這個器件有兩個電極，壹個是金屬，另壹個是extrinsic silicon（外在矽），他們之間由壹薄層二氧化矽分隔開。金屬極就是GATE，而半導體端就是backgate或者body。
他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric（柵介質）。圖示中的器件有壹個輕摻雜P型矽做成的backgate。這個MOS 電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。
金屬GATE和半導體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質上產生了壹個小電場。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型矽負電位。這個電場把矽中底層的電子吸引到表面來，它同時把空穴排斥出表面。這個電場太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對器件整體的特性影響也非常小。
當MOS電容的GATE相對於BACKGATE正偏置時發生的情況。穿過GATE DIELECTRIC的電場加強了，有更多的電子從襯底被拉了上來。同時，空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高，會出現表面的電子比空穴多的情況。
由於過剩的電子，矽表層看上去就像N型矽。摻雜極性的反轉被稱為inversion，反轉的矽層叫做channel。隨著GATE電壓的持續不斷升高，越來越多的電子在表面積累，channel變成了強反轉。Channel形成時的電壓被稱為閾值電壓Vt。
當GATE和BACKGATE之間的電壓差小於閾值電壓時，不會形成channel。當電壓差超過閾值電壓時，channel就出現了。
參考資料：