1、可控矽損壞,ne555可控矽是壹種半導體器件,如果長時間工作在高溫、高電壓等惡劣環境下,會導致可控矽損壞,從而影響可控矽觸發電路輸出電壓低。
2、外部負載問題是可控矽並聯壓敏電阻的輸出端連接了較大的負載,導致輸出可控矽觸發電路輸出電壓低,減少負載即可。
1、可控矽損壞,ne555可控矽是壹種半導體器件,如果長時間工作在高溫、高電壓等惡劣環境下,會導致可控矽損壞,從而影響可控矽觸發電路輸出電壓低。
2、外部負載問題是可控矽並聯壓敏電阻的輸出端連接了較大的負載,導致輸出可控矽觸發電路輸出電壓低,減少負載即可。