壹、指代不同
1、源極：簡稱場效應管。T僅是由多數載流子參與導電，與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。
2、漏極：利用外部電路的驅動能力，減少IC內部的驅動，?或驅動比芯片電源電壓高的負載。
二、原理不同
1、源極：在壹塊N型半導體材料的兩邊各擴散壹個高雜質濃度的P型區（用P+表示），就形成兩個不對稱的P+N結。把兩個P+區並聯在壹起，引出壹個電極，稱為柵極（g），在N型半導體的兩端各引出壹個電極。
2、漏極：將兩個P區的引出線連在壹起作為壹個電極，稱為柵極，在N型矽片兩端各引出壹個電極。
擴展資料：
源極結構原理
在壹塊P型半導體的兩邊各擴散壹個高雜質濃度的N+區，就可以制成壹個P溝道的結型場效應管。上圖給出了這種管子的結構示意圖和它在電路中的代表符號。由結型場效應管代表符號中柵極上的箭頭方向，可以確認溝道的類型。
漏極結構原理
壹般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。
它屬於電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
百度百科-源極
百度百科-漏極