s8050三極管基本參數：
類型：NPN。
集電極耗散功率Pc：0.625W（貼片：0.3W）。
集電極電流Ic：0.5A。
集電極-基極電壓Vcbo：40V。
集電極-發射極電壓Vceo：25V。
集電極-發射極飽和電壓Vce(sat)： 0.6V。
特征頻率f： 最小150MHz。
按三極管後綴號分為 B C D檔 貼片為 L H檔。
放大倍數：B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350。
管腳排列順序：E、B、C或E、C、B。
S8050是壹款小功率NPN型矽管，集電極-基極（Vcbo）電壓最大可為40V，集電極電流為（Ic）0.5A。S8050是電路硬件設計最常用半導體三極管型號之壹。
擴展資料
理論原理：
對於NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著壹塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結，而集電區與基區形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。
當b點電位高於e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而C點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源Ec要高於基極電源Eb。
由於基區很薄,加上集電結的反偏，註入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo。
參考資料來源：百度百科-S8050
參考資料來源：百度百科-三極管