duv就是深紫外光，主要是指波長小於i-line365nm的紫外光，壹般工業上有193arf和248nmkrf的的激光。
euv和duv區別：
1、制程範圍不同。duv：基本上只能做到25nm，Intel憑借雙工作臺的模式做到了10nm，卻無法達到10nm以下。euv：能滿足10nm以下的晶圓制造，並且還可以向5nm、3nm繼續延伸。
2、發光原理不同。duv：光源為準分子激光，光源的波長能達到193納米。euv：激光激發等離子來發射EUV光子，光源的波長則為13.5納米。
3、光路系統不同。duv：主要利用光的折射原理。其中，浸沒式光刻機會在投影透鏡與晶圓之間，填入去離子水，使得193nm的光波等效至134nm。euv：利用的光的反射原理，內部必須為真空操作。
極紫外光刻（ExtremeUltra-violet），常稱作EUV光刻，它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為采用波長為13.4nm的紫外線。極紫外線就是指需要通過通電激發紫外線管的K極然後放射出紫外線。
光刻機簡介
光刻機（lithography）又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到矽片上。
制造高精度的對準系統需要具有近乎完美的精密機械工藝，這也是國產光刻機望塵莫及的技術難點之壹，許多美國德國品牌光刻機具有特殊專利的機械工藝設計。例如Mycro N&Q光刻機采用的全氣動軸承設計專利技術，有效避免軸承機械摩擦所帶來的工藝誤差。