1、結構：nand內存單元被組織成矩陣形式，多個單元***享同壹組位線和字線（Word Line）。nor每個內存單元是單獨連接到位線（Bit Line）的，因此它可以實現對每壹個比特進行獨立讀取，支持真正的隨機訪問（Random Access），類似於SRAM或DRAM的工作方式。
2、性能特性：nor閃存的讀取速度通常比nand稍快壹些，因為它允許單個比特的直接訪問。nand閃存的寫入速度較快，特別是在以塊為單位進行頁編程時；而擦除操作也更快，且擦除單位通常是較大的區塊。nand閃存的擦寫次數（P/E cycles）普遍比nor閃存高得多。
3、nor常用於嵌入式系統中的固件存儲，如微控制器的引導代碼，以及需要快速隨機讀取的小型代碼存儲。nand廣泛應用於消費電子產品的大容量存儲需求，如USB閃存盤、SD卡、手機和平板電腦等設備的內部存儲器，以及固態硬盤（SSD）等。