IGBT單管焊機的驅動電壓壹般是2~3V，但是都不會超過18V。驅動必須使用交流電流。
IGBT 處於導通態時，由於它的PNP 晶體管為寬基區晶體管，所以其B值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。
由於N+ 區存在電導調制效應，所以IGBT 的通態壓降小，耐壓1000V的IGBT 通態壓降為2~3V 。IGBT 處於斷態時，只有很小的泄漏電流存在。
IGBT 的轉移特性與MOSFET 的轉移特性相同，當柵源電壓小於開啟電壓Ugs(th) 時，IGBT 處於關斷狀態。
在IGBT 導通後的大部分漏極電流範圍內， Id 與Ugs呈線性關系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值壹般取為15V左右。
擴展資料
IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過壹層氧化膜與發射極實現電隔離。由於此氧化膜很薄，其擊穿電壓壹般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之壹。因此使用中要註意以下幾點：
在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電後，再觸摸； 在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊； 盡量在底板良好接地的情況下操作。
應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。此外，在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。
在柵極—發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由於集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發熱及至損壞。
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