2、ddr2和ddr3的區別邏輯Bank數量不同:DDR2SDRAM中有4Bank和8Bank的設計,目的就是為了應對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個,另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。
3、DDR2是第二代內存,電壓8V,速度壹般都是667或800。DDR3是目前最普遍的內存,電壓5V,速度很快,容量也很大,單條最大可達到8GB,頻率從1066-2400mhz不等。
2、ddr2和ddr3的區別邏輯Bank數量不同:DDR2SDRAM中有4Bank和8Bank的設計,目的就是為了應對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個,另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。
3、DDR2是第二代內存,電壓8V,速度壹般都是667或800。DDR3是目前最普遍的內存,電壓5V,速度很快,容量也很大,單條最大可達到8GB,頻率從1066-2400mhz不等。