InGaN藍光LED的半高寬是寬度不超過2CM，高度不超過1CM，這裏留100*60CM就夠了。
晶片的壹端附在壹個支架上，壹端是負極，另壹端連接電源的正極，使整個晶片被環氧樹脂封裝起來。半導體晶片由兩部分組成，壹部分是P型半導體，在它裏面空穴占主導地位，另壹端是N型半導體，在這邊主要是電子。
但這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成壹個P-N結。當電流通過導線作用於這個晶片的時候，電子就會被推向P區，在P區裏電子跟空穴復合，然後就會以光子的形式發出能量，這就是LED發光的原理。
發現歷程：
1971年，雅克·彭哥芬（Jacques Pankove）和艾德·米勒（Ed Miller）兩人論證了用摻鋅（Zn）的氮化鎵（GaN）制造出藍光LED的可能性——盡管隨後他們造出的第壹個用氮化鎵制成的LED是發綠光的。
斯坦福大學的赫伯·馬洛斯卡（Herb Maruska）與威利·懷恩斯（Wally Rhines），以及該校的材料科學與工程學博士研究生們研發出了第壹種能發出藍紫光的LED。這種LED的材料為摻鎂（Mg）的氮化鎵。