要搞清楚，光刻技術毫無疑問是芯片生產自然環境中更為重要的壹大機器設備，沒有光刻技術，就沒法生產制造出高檔的集成ic來，而在全世界光刻技術行業，西班牙的ASML企業毫無疑問是巨星壹般的普遍現象著，這個企業還是全世界唯壹的壹家能夠 生產制造EUV光刻技術的生產廠家，像臺積電和三星所應用的全是西班牙ASML企業所生產制造的EUV光刻技術，因為生產能力比較有限，因而 西班牙企業的光刻技術也壹直全是需求量很高的，中國 科技 發展公司也數次求之不得！
光刻技術是芯片制造更為重要的機器設備之壹。現階段，ASML壟斷掉了全球的高端光刻機。我國長期以來都想把握光刻技術技術性，可是上海微電子歷經2017年的勤奮，才造出來90nm的光刻技術，這早已十分不易了，那麼為何光刻技術那麽難造呢？
盡管大家擁有 許多 的高檔技術性，可是有壹個東西直至今日大家依然難以造出，這就是光刻技術。說到這毫無疑問會有些人說起了，大家連核彈都能造出，還弄不出來壹個小小光刻技術？最先大家先來剖析壹下二者的差別在哪兒。
核彈的基本原理是用中子去與鈾原子撞擊造成核裂變，從而造成發生爆炸。盡管這類基本原理看上去非常簡單，可是事實上要把它造出，是有非常大艱難的。壹是要有濃度較高的的燃料，二是要有壹些 科技 進步優秀人才才可以進行這般繁雜的大工程系統軟件。大家那時候在造核彈的情況下，能夠 搞到需要的有關原材料，並且那時候也有像錢學森，鄧稼先等優異的優秀人才，攻破各種各樣艱辛的技術性和標準，才擁有這種東西。
而光刻技術就不壹樣了，最先，光刻技術分成光刻技術分成前光刻技術、後道光刻技術等。前光刻技術便是大夥兒熟識的ASML的光刻技術，用於芯片制造。後道光刻技術關鍵用以集成電路芯片，上微現階段後面道光刻技術上早已做到了全世界流行技術水準，而前光刻技術，也就是大夥兒所了解的ASML光刻技術，這才算是難度系數最大的光刻技術。
二零零二年，上海微電子武器裝備企業經理賀榮明去法國調查時，有技術工程師對他說：“給大家整套工程圖紙，也做不出來。”
光刻技術跟數碼相機類似，它的膠片照片，是塗滿感光膠的矽單晶。電源電路圖案設計經光刻技術，縮微投影究竟片，蝕刻工藝掉壹部分膠，外露矽面做有機化學解決。生產制造集成ic，要反復幾十遍這壹全過程。光刻技術是壹種用於生產制造集成ic的設備，其在生產制造集成ic時，會先在圓晶的表層遮蓋上壹層光刻技術，再用光源通過掩模板直射矽單晶的表層。這時光澤膠遭受光源的刺激性會產生融解，從而自身產生電源電路。這壹基本原理聽上來也不繁雜，但是為何就造不出來呢？要搞清楚，這類線路板的精密度但是納米其他，大概非常與壹根發絲的5000分之壹那般細微，而這類光刻技術應用的攝像鏡頭，就規定不可以有2納米技術的偏差，那樣的技術水平，就是目前放進全球，那也是頂尖水準的級別了。
除開規定極其嚴苛的精密度水準，還務必頂尖的燈源，其光學電子系統極其繁雜，現階段世界最優秀的是極紫外線，因為技術水平巨大，在我國到現在都還沒提升。如今也僅有英國把握這類優秀的技術性。就算大家可以研發出光刻技術，可是可以生產制造的精密度也是非常落伍的，他人可以生產制造的光刻技術在5納米技術級別，而在我國現階段也只不過是提升了14納米技術的光刻技術，並且生產制造出去的集成ic特性也難以考慮如今集成ic的規定。
在考慮有頂尖燈源的前提條件下，也要有完美的機械設備精密度。光刻技術裏邊擁有 2個同步健身運動的操作臺，壹個是用於載膠卷的，另壹個是用於載膠片照片的，二者務必嚴苛的同步，偏差得在2納米技術下列，2個操作臺還得要有跟導彈發射壹樣的瞬時速度。並且對外部自然環境也擁有 很嚴苛的規定，環境濕度溫度和工作壓力的轉變都是會危害到工作中全過程的精密度。溫度要操縱在千分之五，這就得要更精確的溫度感應器。全世界現階段最好使的光刻技術是SMEE，它包括13個子系統，三萬好幾個機械設備件也有200好幾個感應器，全部的零部件不可以有壹切壹個出難題，不然便會有影響。
有生物學家也曾說過，集成ic現階段意味著了人類 歷史 最頂尖的科研成果，不難看出，生產制造壹臺光刻技術是有多麽的不易。