mocvd設備工作原理

MOCVD是以_、_族元素的有機化合物和_、_族元素的氫化物為晶體生長源材料，在襯底上通過熱分解反應生長各種_-_族、_-_族化合物半導體及其多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統中的晶體生長是在常壓或低壓(10-100Torr)下，在帶有H2的冷壁應時(不銹鋼)反應室中進行，襯底溫度為500-1200℃，石墨基底由DC加熱(襯底在石墨基底上方)，H2氣泡通過溫度可控的液體源將金屬有機物攜帶到生長區域。