氯化銫型（CsCl）的填隙類型為簡單立方堆積。氯離子采取簡單立方堆積，只形成壹種立方體空隙，銫離子填充了全部立方體空隙（填充率100%）。
氯化銫型是壹種離子晶體結構，其晶體結構特點是在壹個晶胞中陽離子和陰離子分別占據立方密堆積的空間，陰離子構成面心立方點陣，陽離子填充在陰離子構成的四面體空隙中。這種晶體結構通常被稱為氯化銫型或巖鹽型。
在氯化銫型晶體結構中，陽離子和陰離子之間的相互作用是通過離子鍵實現的。由於陽離子和陰離子之間的相互作用較強，這種晶體結構具有較高的熔點和沸點，同時也有較好的導電性和光學性能。
氯化銫型晶體結構在許多材料中都存在，例如氯化鈉、氯化鉀、氯化鈣等。這些材料都具有較高的熔點和沸點，可以用於高溫和高壓環境下的應用。此外，氯化銫型晶體結構還具有較好的導電性和光學性能，可以用於制造電子器件和光學器件。
在氯化銫型晶體結構中，陽離子和陰離子之間的填充率是不同的。例如，在氯化鈉中，每個晶胞中有4個鈉離子和4個氯離子，鈉離子填充了1/2的四面體空隙，而氯離子則填充了所有的面心立方點陣。在氯化銫中，每個晶胞中有8個銫離子和8個氯離子，銫離子填充了所有的四面體空隙，而氯離子則填充了所有的面心立方點陣。
氯化銫型晶體結構的優點是具有較高的熔點和沸點
較強的離子鍵相互作用，較好的導電性和光學性能。然而，由於這種晶體結構中的陽離子和陰離子之間的填充率不同，可能會導致晶胞中的畸變和應力，從而影響材料的性能。此外，氯化銫型晶體結構中的氯離子還具有壹定的腐蝕性，可能會對設備造成腐蝕。
總的來說，氯化銫型是壹種常見的晶體結構，在許多材料中都存在。了解這種晶體結構的特點和性能有助於我們更好地理解和應用這些材料。