內存也是計算機系統裏的重要配件，它的數量多少，質量好壞直接影響著整個系統的性能以及穩定性。今天，我就把關於內存的幾個主要參數給大家介紹壹下，希望在大家購買和使用內存的時候能夠從中得到幫助。
同步動態隨機存儲器（Synchronous DRAM，SDRAM）：是目前主推的PC 100和PC 133規範所廣泛使用的內存類型，它的帶寬為64位，3.3V電壓，目前產品的最高速度可達5ns。它與CPU使用相同的時鐘頻率進行數據交換，它的工作頻率是與CPU的外頻同步的，不存在延遲或等待時間。
雙倍速率SDRAM（Dual Date Rate SDRSM，DDR SDRAM）：又簡稱DDR，由於它在時鐘觸發沿的上、下沿都能進行數據傳輸，所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s。DDR不支持3.3V電壓的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2標準。它仍然可以沿用現有SDRAM的生產體系，制造成本比SDRAM略高壹些，但仍要遠小於Rambus的價格，因為制造普通SDRAM的設備只需稍作改進就能進行DDR內存的生產，而且它也不存在專利等方面的問題，所以它代表著未來能與Rambus相抗衡的內存發展的壹個方向。
接口動態隨機存儲器（Direct Rambus DRAM, DRDRAM）：是Intel所推崇的未來內存的發展方向，它將RISC（精簡指令集）引入其中，依靠高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數據量。它具有相對SDRAM較高的工作頻率（不低於300MHz），但其數據通道接口帶寬較低，只有16位，當工作時鐘為300MHz時，Rambus利用時鐘的上沿和下沿分別傳輸數據，因此它的數據傳輸率能達到300×16×2/8=1.2GB/s，若是兩個通道，就是2.4GB/s。它與傳統DRAM的區別在於引腳定義會隨命令變化，同壹組引腳線既可以被定義成地址線也可以被定義成控制線。其引腳數僅為普通DRAM的三分之壹。
虛擬通道存儲器（Virtual Channel Memory, VCM），是目前大多數最新的主板芯片組都支持的壹種內存標準，VCM是由NEC公司開發的壹種的“緩沖式DRAM”，該技術將在大容量SDRAM中采用。它集成了所謂的“通道緩沖”，由高速寄存器進行配置和控制。在實現高速數據傳輸的同時，VCM還維持著與傳統SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM內存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在於不管數據是否經過CPU處理都可以先行交於VCM進行處理，而普通的SDRAM就只能處理經CPU處理以後的數據，這就是為什麽VCM要比SDRAM處理數據的速度快20%以上的原因。
CL（CAS Latency）：為CAS的延遲時間，這是縱向地址脈沖的反應時間，也是在壹定頻率下衡量支持不同規範的內存的重要標誌之壹。比如現在大多數的SDRAM（在外頻為100MHz時）都能運行在CAS Latency = 2或3的模式下，也就是說，這時它們讀取數據的延遲時間可以是2個時鐘周期或3個時鐘周期。
tCK（TCLK）：為系統時鐘周期，它代表SDRAM所能運行的最大頻率。數字越小說明SDRAM芯片所能運行的頻率就越高。對於壹片普通的PC 100 SDRAM來說，它芯片上的標識“-10”代表了它的運行時鐘周期為10ns，即可以在100MHz的外頻下正常工作。
tAC（Access time from CLK）：是最大CAS延遲時的最大數輸入時鐘，PC 100規範要求在CL=3時tAC不大於6ns。某些內存編號的位數表示的是這個值。目前大多數SDRAM芯片的存取時間為5、6、7、8或10ns。
對於PC 100內存來說，要求當CL=3的時候，tCK的數值要小於10ns、tAC要小於6ns。關於總延遲時間的計算壹般用這個公式: 總延遲時間=系統時鐘周期×CL模式數+存取時間（tAC），比如某PC 100內存的存取時間為6ns，我們設定CL模式數為2（即CAS Latency=2），則總延遲時間=10ns×2+ 6ns= 26ns，這就是評價內存性能高低的重要數值。如果PC 100、PC 133內存只使用在66MHz或100MHz總線下，應該將CAS Latency的數值設為2，這樣內存無疑會有更好的性能