霍耳效應是 1879年美國物理學家霍耳（Edwin Hall）研究載流導體在磁場中導電的性質時發現的壹種電磁效應。他在長方形導體薄片上通以電流，沿電流的垂直方向加磁場，發現在與電流和磁場兩者垂直的兩側面產生了電勢差。後來這個效應廣泛應用於半導體研究。壹百年過去了。1980年壹種新的霍耳效應又被發現。這就是德國物理學家馮·克利青從金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）發現的量子霍耳效應。他在矽MOSFET管上加兩個電極，把MOSFET管放到強磁場和深低溫下，證明霍耳電阻隨柵壓變化的曲線上出現壹系列平臺，與平臺相應的霍耳電阻等於RH＝h/i·e2，其中i是正整數1，2，3，……，這壹發現是20世紀以來凝聚態物理學、各門新技術（包括低溫、超導、真空、半導體工藝、強磁場等）綜合發展以及馮·克利青創造性的研究工作所取得的重要成果。