NAND閃存是壹種非易失性存儲技術，即斷電後仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。NOR Flash是壹種非易失閃存技術，是Intel在1988年創建。
區別
1、閃存芯片讀寫的基本單位不同?
應用程序對NOR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。
應用程序對NAND芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小，壹般是8KB，然後每塊又分成頁，頁的大小壹般是512字節。要修改NAND芯片中壹個字節，必須重寫整個數據塊。
2、應用不同
NOR閃存是隨機存儲介質，用於數據量較小的場合；NAND閃存是連續存儲介質，適合存放大的數據。
3、速度不同
N AN D閃存芯片因為***用地址和數據總線的原因，不允許對壹個字節甚至壹個塊進行的數據清空，只能對壹個固定大小的區域進行清零操作；而NOR芯片可以對字進行操作。所以在處理小數據量的I/O操作的時候的速度要快與NAND的速度。
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