IGBT是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是絕緣柵雙極型晶體管。
從功能上來說，IGBT就是壹個電路開關，優點就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。而且IGBT不用機械按鈕，它是由計算機控制的。
所以有了IGBT這種開關，就可以設計出壹類電路，通過計算機控制IGBT，把電源側的交流電變成給定電壓的直流電，或是把各種電變成所需頻率的交流電，給負載使用。這類電路統稱變換器。
IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，壹般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見；
IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
擴展資料；
方法
IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由於實現壹個較高的擊穿電壓BVDSS需要壹個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。
雖然最新壹代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降，轉換成壹個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結構，同壹個標準雙極器件相比，可支持更高電流密度，並簡化IGBT驅動器的原理圖。
導通
IGBT矽片的結構與功率MOSFET 的結構十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和壹個N+ 緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分)。其中壹個MOSFET驅動兩個雙極器件。基片的應用在管體的P+和 N+ 區之間創建了壹個J1結。
當正柵偏壓使柵極下面反演P基區時，壹個N溝道形成，同時出現壹個電子流，並完全按照功率 MOSFET的方式產生壹股電流。如果這個電子流產生的電壓在0.7V範圍內，那麽，J1將處於正向偏壓，壹些空穴註入N-區內，並調整陰陽極之間的電阻率，這種方式降低了功率導通的總損耗，並啟動了第二個電荷流。最後的結果是，在半導體層次內臨時出現兩種不同的電流拓撲：壹個電子流(MOSFET 電流)； 壹個空穴電流(雙極)。
關斷
當在柵極施加壹個負偏壓或柵壓低於門限值時，溝道被禁止，沒有空穴註入N-區內。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因為換向開始後，在N層內還存在少數的載流子(少子)。
這種殘余電流值(尾流)的降低，完全取決於關斷時電荷的密度，而密度又與幾種因素有關，如摻雜質的數量和拓撲，層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特征尾流波形，集電極電流引起以下問題：功耗升高；交叉導通問題，特別是在使用續流二極管的設備上，問題更加明顯。
鑒於尾流與少子的重組有關，尾流的電流值應與芯片的溫度、IC 和VCE密切相關的空穴移動性有密切的關系。因此，根據所達到的溫度，降低這種作用在終端設備設計上的電流的不理想效應是可行的。
參考資料：
百度百科-IGBT