歐姆接觸是指金屬與半導體的接觸，而其接觸面的電阻值遠小於半導體本身的電阻，使得組件操作時，大部分的電壓降在於活動區（Activeregion）而不在接觸面。
歐姆接觸與肖特基接觸有什麽不同：
1、定義不同
歐姆接觸是指在接觸處是壹個純電阻，而且該電阻越小越好，使得組件操作時，大部分的電壓降在活動區而不在接觸面。因此，其I-V特性是線性關系，斜率越大接觸電阻越小，接觸電阻的大小直接影響器件的性能指標。
肖特基接觸是指金屬和半導體材料相接觸的時候，在界面處半導體的能帶彎曲，形成肖特基勢壘。勢壘的存在才導致了大的界面電阻。
2、勢壘不同
歐姆接觸的界面處勢壘非常小或者是沒有接觸勢壘。
而肖特基接觸存在較大的接觸勢壘。
3、形成條件不同
欲形成歐姆接觸，有兩個先決條件：壹是金屬與半導體間有低的勢壘高度，二是半導體有高濃度的雜質摻入(N _10EXP12 cm-3)。前者可使界面電流中熱激發部分(Thermionic Emission)增加;後者則使半導體耗盡區變窄，電子有更多的機會直接穿透(Tunneling)，而同時使Rc阻值降低。
肖特基結是壹種簡單的金屬與半導體的交界面，它與PN結相似，具有非線性阻抗特性。在界面處半導體的能帶發生彎曲，形成壹個高勢能區，這就是肖特基壘。電子必須高於這壹勢壘的能量才能越過勢壘流入金屬。當平衡時，肖特基勢壘的高度是金屬和半導體的逸出功的差值。