將存儲卡看做網狀結構，也就是矩陣結構，這叫作Flash存貯矩陣，由網格中的小存貯單元構成，靠的是儲存芯片Flash，儲存的都是二進制信息，具體的情況可以參考下面的內容。
1、儲存卡是靠flash芯片儲存信息的，其存儲原理要從EPROM和EEPROM說起，EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然後重新寫入。其基本單元電路常采用浮空柵雪崩註入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。
2、其次，在源極和漏極之間有壹個多晶矽柵極浮空在SiO2絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電後（譬如負電荷），就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0。若浮空柵極不帶電，則不形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。?
3、另外，EEPROM基本存儲單元電路與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空柵的上面再生成壹個浮空柵，前者稱為第壹級浮空柵，後者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出壹個電極，使第二級浮空柵極接某壹電壓VG。若VG為正電壓，第壹浮空柵極與漏極之間產生隧道效應，使電子註入第壹浮空柵極，即編程寫入。若使VG為負電壓，強使第壹級浮空柵極的電子散失，即擦除，擦除後可重新寫入。
4、SD卡存儲卡，是用於手機、數碼相機、便攜式電腦、MP3和其他數碼產品上的獨立存儲介質，壹般是卡片的形態，故統稱為“存儲卡”。存儲卡具有體積小巧、攜帶方便、使用簡單的優點。同時，由於大多數存儲卡都具有良好的兼容性，便於在不同的數碼產品之間交換數據。近年來，隨著數碼產品的不斷發展，存儲卡的存儲容量不斷得到提升，應用也快速普及。