因為波長越長,In的組分越大,使得InGaN與GaN之間的晶格失配增大、InGaN發光層的缺陷增多、應力增加。應力又會進壹步造成量子限制斯塔克效應。
隨著激射波長的增大,InGaN量子阱中的In組分也相應提高。為了實現綠光LD,InGaN量子阱中的In組分大約達到了30%。
因為波長越長,In的組分越大,使得InGaN與GaN之間的晶格失配增大、InGaN發光層的缺陷增多、應力增加。應力又會進壹步造成量子限制斯塔克效應。
隨著激射波長的增大,InGaN量子阱中的In組分也相應提高。為了實現綠光LD,InGaN量子阱中的In組分大約達到了30%。