光刻誤差對數字電路的影響

直接影響電路性能和生產成品率。根據查詢《中國科學》雜誌社發表的《光學臨近效應矯正及其技術應用》文章得知，隨著集成電路設計和制造進入超深亞微米(VDSM)階段。特征尺寸已經接近甚至小於光刻工藝中所使用的光波波長，因此光刻過程中，由於光的衍射和幹涉現象，實際矽片上得到的光刻圖形與掩膜版圖形之間存在壹定的變形和偏差，光刻中的這種誤差直接影響電路性能和生產成品率。