半導體激光器是以壹定的半導體材料做工作物質而產生激光的器件。.其工作原理是通過壹定的激勵方式，在半導體物質的能帶（導帶與價帶）之間，或者半導體物質的能帶與雜質（受主或施主）能級之間，實現非平衡載流子的粒子數反轉，當處於粒子數反轉狀態的大量電子與空穴復合時，便產生受激發射作用。半導體激光器的激勵方式主要有三種，即電註入式，光泵式和高能電子束激勵式。電註入式半導體激光器，壹般是由砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等材料制成的半導體面結型二極管，沿正向偏壓註入電流進行激勵，在結平面區域產生受激發射。光泵式半導體激光器，壹般用N型或P型半導體單晶（如GaAS,InAs,InSb等）做工作物質，以其他激光器發出的激光作光泵激勵.高能電子束激勵式半導體激光器，壹般也是用N型或者P型半導體單晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物質，通過由外部註入高能電子束進行激勵。在半導體激光器件中，性能較好，應用較廣的是具有雙異質結構的電註入式GaAs二極管激光器。