光刻機的精度壹般指投影光刻機的相對位置誤差（overlay）和圖形的線寬（linewidth）。
overlay是指在同壹塊芯片上，不同層次的圖形在變形、溫度、光幹涉等環境因素影響下，與先前層次的圖形之間的對準誤差。而linewidth是指在芯片表面上，曝光後圖形的寬度。這兩個參數都對芯片的制造精度有重要的影響。
目前商業化的投影光刻機overlay的精度已經達到了1-2nm，linewidth可達到5-10nm，但壹般來說這些參數的精度與芯片工藝的要求有關。在芯片制造過程中需要仔細把握每壹環節，確保芯片制造的精度和可靠性。
影響光刻機精度的因素
1、光刻機接口：光刻機需要通過接口與其它設備（如曝光機、顯影機等）進行通信，接口的誤差會直接影響整個光刻過程的精度。因此，工程師在設計光刻機接口時需要仔細考慮，確保接口的精度符合芯片制造的要求。
2、光刻機光學系統：光刻機的光學系統包括光源、透鏡系統、投影鏡等，其中每壹個部分都會影響圖形的清晰度及線寬的精度。同時，光學系統中的元件質量、材料、安裝精度，都會對光刻機的精度產生直接影響。
3、光刻膠：光刻膠的厚度和均勻度對線寬精度和overlay有很大的影響。壹般情況下，光刻膠的厚度應該比線寬小3倍，過厚或過薄都會影響線寬的精度。此外，聚合度、分子量、顆粒度等因素也會對光刻膠的均勻性和質量造成影響。
以上內容參考：百度百科-光刻機