什麽是負電子親和勢光電陰極

采用特殊工藝，例如在重摻雜P型矽表面塗壹薄層CsO2，可形成NEA材料。負電子親和勢是指體內的有效電子親和勢，而不是指表面電子親和勢。NEA發射體和常規光電發射體的表面，電子狀態是類似的，導帶底上的電子能量都低於真空能級，其差值為Ea。但是，兩者體內電子能量則不同。NEA發射體導帶底的電子能量高於真空能級，而常規發射體電子親和勢仍是正的。

NEA陰極的量子效率高於正電子親和勢陰極，可從其光電發射過程進行分析。價帶中的電子吸收光子能量，躍遷到導帶底以上，成為熱電子（受激電子能量超過導帶底的電子）。在向表面運動的過程中，由於碰撞散射而發生能量損失，故很快就落到導帶底而變成冷電子（能量恰好等於導帶底的電子）。熱電子的平均壽命非常短，約

10-14～10-12s。如果在這麽短的時間內能夠運動到真空界面，自然能逸出。但是熱電子的逸出深度只有幾十納米，絕大部分電子來不及到達真空界面，就已經落到導帶底變成冷電子了。冷電子的平均壽命比較長，約

10-9～10-8s，其逸出深度可達1000納米。因為體內冷電子能量仍高於真空能級，所以它們運動到真空界面時，可以很容易地逸出。因此NEA量子效率比常規發射體高得多。