輝鉬的優勢領域

同矽相比，輝鉬的優勢之壹是體積更小，輝鉬單分子層是二維的，而矽是壹種三維材料。在壹張0.65納米厚的輝鉬薄膜上，電子運動和在兩納米厚的矽薄膜上壹樣容易。但目前不可能把矽薄膜做得像輝鉬薄膜那麽薄。

輝鉬的另壹大優勢是比矽的能耗更低。在固態物理學中，能帶理論描述了在特定材料中電子的能量。在半導體中，自由電子存在於這些能帶之間，稱為“帶隙”。如果帶隙不太小也不太大，某些電子就能跳過帶隙，能更有效控制材料的電子行為，開關電路更容易。