區別1：不同的功耗和發熱：flash閃存模塊消耗大量的功耗，DDR在成本控制的基礎上降低了能耗和發熱。
區別2：工作頻率較高：flash存儲模塊能耗較高。由於降低了能耗，DDR可以獲得更高的工作頻率，在壹定程度上彌補了延遲時間較長的缺點。
區別3：數據處理不壹樣：閃存模塊數據刪除不是基於單個字節，而是基於固定塊。塊大小通常為256Kb到20MB，閃存是壹種電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）。DDR內存顆粒大多為16M X 32bit，搭配中高端屬顯卡常用的128MB顯存便需8顆較為合適。
區別4：通用性不同：閃存模塊廣泛應用於大多數電子設備中。由於DDR的針腳和封裝等關鍵特性沒有改變，所以顯卡的顯示核心和公***版本設計相對高端，也比較少見。
擴展資料：
在嵌入式系統中，內存（SDRAM或DDR）可以作為文件系統的存儲介質。當存儲器斷電時，它不能保持原始數據不變。因此，基於內存的文件系統只能是臨時文件系統，可以用來保存臨時文件，而不是需要永久記錄的文件。其優點是內存中只有動態變化，系統不會產生垃圾。
目前內存中常用的SDRAM和DDR-SDRAM。使用SDRAM需要CPU提供SDRAM接口控制器。使用DDR-SDRAM需要CPU提供DDR-SDRAM接口控制器。兩者最大的區別是DDR-SDRAM至少比SDRAM快壹倍，意味著如果讀取壹個文件需要兩秒鐘，那麽使用DDR可能需要不到壹秒鐘的時間。
Flash是嵌入式系統中最常用的文件系統存儲介質。nor和NAND有兩種類型。也不能直接讀取flash，但寫入是通過塊而不是字節完成的。而不是直接寫，它需要由命令控制；NAND flash也就是說，它不允許直接讀寫。讀寫都是通過塊來完成的，需要通過命令來控制。
相比之下，nor的讀取速度比NAND快，NAND的單位密度也比nor高，即單個IC NAND flash可以有4GB（字節）的存儲空間，nor flash最多只能有1GB（位）。NAND flash通常有壞塊，所以文件系統的設計比較復雜（壞塊需要處理）。應該註意的是，關閉閃存電源可以防止文件丟失。