X射線探測器包括很多種類別。不知道妳說的是那種。
就拿常見的X射線探測器來說吧，晶體有鎢酸隔的，有碘化銫的，有硫氧化噶的，他們都是X光轉換成可見光，後進過光電二極管，經過放大等壹些列處理後形成數字信號，傳給計算機的。
CCD相機？是普通的照相機還是無損射線照相機？從妳的問題補充的來看，多半理解妳的意思，是無損檢測的CCD攝像機。
CCD：有閃爍體或熒光體加上光學鏡頭再加CCD（charge couping device）構成 。影像形成分成兩步完成，第壹步，x 射線經過閃爍晶體（碘化銫或磷）產生可見光，第二步，可見光經光電轉換由CCD轉變成電荷。
比較：
1、 技術比較
1.1非晶矽平板探測器
由閃爍體或熒光體層塗上有光電二極體管作用的非晶矽層加上TFT陣列構成，矩陣中的最小單元（像素）是由薄膜非晶態矽制成的光電二極管，用以將光轉換成電荷沈積。在光電二極管矩陣上被覆有摻鉈的碘化銫閃爍光電晶體。透過被檢體後的入射X線，激發光電二級管產生電流，隨之就在光電二極管自身的電容上積分形成儲存電荷，每壹像素的存儲電荷量和與之對應的範圍內的入射X線光子能量和數量成正比，非晶矽平板探測器的技術難點，結構性CSI的制造工藝比較復雜，且需光敏二級管。
1.2、非晶硒平板探測器
用非晶硒塗覆在TFT陣列上，透過被檢體後的入射X線再硒層中產生電子——空穴對，在外施偏壓的電場作用下，電子和空穴向相反的方向移動形成電流，隨之在TFT 積分形成存儲電荷。平板薄膜晶體管（thinfilm transistor TFT）技術制成高分辨率實時成像板采集圖像。非晶硒平板探測器的技術難點，要外加數千伏高壓，這會對TFT 開關構成威脅
1.3、CCD探測器
有閃爍體或熒光體加上光學鏡頭再加CCD（charge couping device）構成 影像形成分成兩步完成，第壹步，x 射線經過閃爍晶體（碘化銫或磷）產生可見光，第二步，可見光經光電轉換由CCD轉變成電荷。CCD 技術難點，光能損耗失和和光學鏡頭的幾何失真。
2性能比較
非晶硒平板探測器是真正意義上的直接數字化攝影，因為在影像形成過程中，無可見光產生，因而不會因可見光的散射和折射造成光能的損耗和曝光劑量的增加以及光學幾何失真，高分辨率實時成像。
非晶矽平板探測器與非晶硒平板探測器壹樣是大面積的平板結構。無需放大，無幾何失真。
CCD 探測器，單個CCD芯片可以做成，5*5cm 這可以使得像素數增加，可達1700萬像素，平行光和CCD的感應光層采用氧化錫硒材料來增強可見光的傳輸率，可使得光能損耗損耗到最低，幾何失真降到最小，具有成像速度快，曝光劑量小的特點。
3穩定性比較
硒和矽在自然界中是以晶體的形態存在的 ，故而非晶態硒和矽在常溫下的穩定性較差，平板非晶矽和硒對環境 溫度要求比價高，設備的準備時間比價長，CCD探測器技術，早非晶矽和硒平板約30年，故而比較成熟，對環境的要求不高，設備的準備的時間比較短。