具體如下:
1、磁電阻效應，是指對通電的金屬或半導體施加磁場作用時會引起電阻值的變化。其全稱是磁致電阻變化效應。
磁電阻效應可以表達為式中?
（1）△ρ——有磁場和無磁場時電阻率的變化量；
（2）ρ0——無磁場時的電阻率；
（3）ρB——有磁場時的電阻率。
在大多數金屬中，電阻率的變化值為正，而過渡金屬和類金屬合金及飽和磁體的電阻率變化值為負。半導體有大的磁電阻各向異性。利用磁電阻效應，可以制成磁敏電阻元件，其常用材料有銻化銦、砷化銦等。磁敏電阻元件主要用來構造位移傳感器、轉速傳感器、位置傳感器和速度傳感器等。為了提高靈敏度，增大阻值，可把磁敏電阻元件按壹定形狀（直線或環形）串聯起來使用。
2、 所謂巨磁阻效應，是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現象。巨磁阻是壹種量子力學效應，它產生於層狀的磁性薄膜結構。
這種結構是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當鐵磁層的磁矩相互平行時，載流子與自旋有關的散射最小，材料有最小的電阻。當鐵磁層的磁矩為反平行時，與自旋有關的散射最強，材料的電阻最大。