脫膠。
在光致抗蝕劑顯影後發生的抗蝕劑圖形脫離襯底或者倒塌、粘黏的現象。
通常因為襯底的黏性粘附力不足，或圖形高寬比過大、重心過高，抗蝕劑圖形底部粘附力不足以抵消顯影或者後續清洗工序中水或者其他溶劑的表面張力的影響。
因此，需要對襯底做表面處理、塗増粘剤或者增加緩沖層來增加底部粘附力，或者控制高寬比在合適的範圍，常見的安全高寬比為3：1，最大不應超過5：1，否則容易發生脫膠現象。
壹種半導體矽片脫膠工藝,包括以下步驟：
1、將切割完畢的單晶矽棒倒置在裝有特定夾具的中轉車內;
2、鼓泡預清洗,即將單晶矽片放置在裝滿自來水的槽中利用鼓泡管進行預清洗,以去除矽片表面砂漿;
3、使用溫水對矽片進行噴淋;
4、對矽片進行超聲預清洗,即在將經過噴淋的單晶矽片放置在超聲溫水中進行浸泡,以去除矽片縫隙的砂漿;
5、使用溫水浸泡脫膠,
6、溫水鼓泡,將單晶矽片與粘接條之間脫離;
7、溫水取片,即將脫離的矽片放置在溫水中,擦拭矽片立面殘留膠。上述工藝克服了現有脫膠工藝造成的半導體矽片不良率高,實現了不同厚度半導體單晶矽片切割完畢後自動脫膠技術,並能保證矽片表面無花片,崩邊、缺口等不良。