光刻機最難的技術瓶頸就是電能轉換效率、模塊精密度、準確的光斑掃描和處理等。
1、電能轉換效率：由於光刻機是壹種高精度的機器，它要求高精度的空間分辨率，機器的精度可以達到幾微米，而光刻機的電子系統要求高效率的電能轉換，因此要求電能轉換效率較高。
2、模塊精密度：根據不同的制作精度，光刻頭模塊要求高精密度、精度、光刻成像精度和穩定性等技術能力。這些要求不僅需要控制光刻頭模塊的設計、制造和測量，還要進行安裝精度的改進和控制。
3、準確的光斑掃描和處理：光刻機的光斑掃描和處理要求準確、穩定，但由於光斑的光學特性和傳輸延遲，這些處理必須改進，以提高處理的準確性和魯棒性。
光刻機種類
接觸式曝光：掩膜板直接與光刻膠層接觸，曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為軟接觸，硬接觸和真空接觸。
接近式曝光：掩膜板與光刻膠基底層保留壹個微小的縫隙，Gap大約為0～200μm。可以有效避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷，使掩膜和光刻膠基底能耐久使用，壽命長，圖形缺陷少，接近式在現代光刻工藝中應用最為廣泛。
投影式曝光：在掩膜板與光刻膠之間使用光學系統聚集光實現曝光，壹般掩膜板的尺寸會以需要轉移圖形的4倍制作，提高了分辨率。