光刻化學01-光刻膠，resist

光刻膠（英語：photoresist），亦稱為光阻或光阻劑，是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕刻薄膜材料，是光刻工藝中的關鍵材料，主要應用於集成電路和半導體分立器件的細微圖形加工。

有些地區國家也叫它“光阻”哦

光刻膠，resist 都是它

光刻膠通常使用在紫外光波段或更小的波長(小於400納米)進行曝光。根據使用的不同波長的曝光光源，如KrF（248nm），ArF（193nm）和EUV（13.5nm），相應的光刻膠組分也會有壹定的變化。如248nm光刻膠常用聚對羥基苯乙烯及其衍生物為光刻膠主體材料，193nm光刻膠為聚酯環族丙烯酸酯及其***聚物，EUV光刻膠常用聚酯衍生物和分子玻璃單組分材料等為主體材料。除主體材料外，光刻膠壹般還會添加光刻膠溶劑，光致產酸劑，交聯劑或其他添加劑等。

正負膠的定義

光刻膠根據在顯影過程中曝光區域的去除或保留可分為兩種－正性光刻膠（positive photoresist）和負性光刻膠（negative photoresist）。

正性光刻膠之曝光部分發生光化學反應會溶於顯影液，而未曝光部分不溶於顯影液，仍然保留在襯底上，將與掩膜上相同的圖形復制到襯底上。

負性光刻膠之曝光部分因交聯固化而不溶於顯影液，而未曝光部分溶於顯影液，將與掩膜上相反的圖形復制到襯底上。