三極管是電流控制型元件，場效應管是電壓控制型元件。相對而言，場效應管的輸入電流小得多，所以是低功耗元器件。
晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和矽管。而每壹種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是矽NPN和鍺PNP兩種三極管。
其中，N是負極的意思（代表英文中Negative），N型半導體在高純度矽中加入磷取代壹些矽原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代矽，產生大量空穴利於導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的。
擴展資料
場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。
按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。
場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另壹側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加壹定的柵壓之後才有漏極電流的稱為增強型。