現代顆粒：
作為全球幾大內存顆粒生產廠家的現代公司自從進入中國以後假貨也隨之而來並且花樣之多令人發寒。以往所謂的現代原廠內存不過是使用些小伎倆比如貼塑料紙，噴漆等下三濫的REMARK手段，而現在真正的仿冒品出來了，不仔細看的話真的會被假貨所蒙騙。同時HY公司的內存顆粒壹直以來算的上中規中矩，除了穩固TSOP II封裝的顆粒外，根本沒有生產過其他封裝的產品，這裏就暴露了假貨的致命點。雖然外觀漂亮，但是最終難逃假貨的命運。
目前現代主流的內存顆粒有兩種，默認頻率在200MHz的D-43顆粒以及250MHz的D-5顆粒。
海力士（Hynix）顆粒：
與英飛淩的情況類似，海力士以前是韓國現代電子公司的子公司現代半導體公司，後來從母公司中獨立，改名為Hynix，所以嚴格的說，它的產品不能再稱之為“現代內存”了。
KINGSTON系列：
雖然他比KINGMAX出道晚，但是他卻以迅雷不及掩耳的速度在國內走紅，可能最主要的原因就是內存質量了。同樣市場上也就出現了仿冒的盒裝KINGSTON。辨別是否是正品非常的簡單。首先，正品的封口貼紙印刷色彩豐富。假冒的產品則遜色很多。
如果不能通過包裝外表來識破真假，那麽就看看內存顆粒，假貨為了節省成本通常使用廉價的雜牌內存顆粒，而正品則是以SAMSUNG，HY等為主的。但是必須要提防打磨的顆粒。還有壹招就是撥打內存上的800電話來辨別真假。
三星原廠顆粒：
三星與現代原廠內存壹直都是比較崇尚的，自從去年進入市場以來也都沒有過的清閑，頻繁受到了仿冒品的騷擾。
現在的所謂三星原廠的仿冒品如同以前的散裝條，做工較為粗糙，PCB質量較為低劣，並且分量也不及原廠條來的重。內存顆粒的激光字體原廠的非常清晰，而仿冒品則有摩擦過的痕跡。
內存的背面也可以看到真品的走線比較清晰自然，而仿冒品則比較零亂，包括焊點的質量，誰真誰假壹目了然。
為了防止仿冒品三星原廠內存的代理商未雨綢繆的使用了防偽技術，在真品的內存中貼上了壹張鐳射三星金條的貼紙，同時整體原廠的包裝中也附帶有了壹張質量保證卡。相信這些仿冒者除非下血本，不然還是難以與真品的附件質量相抗衡的。
三星內存顆粒上的編號“TC”，其中的“T”代表采用TSOP封裝方式。
壹、三星DDR系列內存芯片：
三星TCB3顆粒：
TCB3是三星推出的6ns DDR顆粒，可以穩定地工作在PC2700, 2-2-2-X的時序，參數非常優秀，此外它同樣可以工作在PC3200，但是不能繼續維持這麽高的時序，200MHz時的時序為2-3-3-6，不過也已經很不錯了。TCB3的頻率極限在230MHz左右，對於對於默認為166MHz的內存來說超頻幅度很大，TCB3對於電壓並不太敏感，3.0V電壓下頻率提升也不是很大。現在來看這種顆粒有些過時。
三星TCCC顆粒：
TCCC是三星TCC系列（PC3200）裏面編號為“C”的顆粒，表示其PC3200時預設CAS值為3。TCCC可以工作在250-260MHz，3-4-4-8的時序，而默認200MHz時可以保持2.5-3-3-6的時序，由於TCCC顆粒的售價比較便宜，因此和現代的D43壹起成為性價比出色的代表。此外不少DDR500內存同樣采用了TCCC顆粒，不過由於已經接近極限頻率，留給這款內存的超頻空間已經很小了。電壓對於TCCC顆粒的超頻有壹定的影響，不過在2.8V時已經基本可以達到最高頻率。
三星TCC4顆粒：
TCC4：TCC4是三星的另外壹款5ns的DDR400內存顆粒，不過並不常見，在壹些品牌的PC3200低端內存甚至是PC2700內存上面可以看到它。TCC4並不太適合超頻用戶，因為在加壓情況下最高也只能穩定在210-220MHz，3-3-3-X的時序模式下，對電壓很不敏感，只適合追求容量和性價比的用戶。
三星TCC5顆粒：
TCC5：TCC5是三星TCC系列的壹款新產品，在各方面比它的前輩TCC4都要優秀很多，壹般多用在DDR466內存產品上，超頻性能很不錯。這款內存的默認工作頻率為233MHz，初始頻率比TCC4要高，默認工作時序可以達到2.5-3-3-X，在超頻模式下，可以工作在250MHz和3-4-4-X的時序下，對於電壓也不太敏感。這款顆粒相比TCCC和現代的D43來說並不常見，售價相對較高，對於AMD,Intel的平臺都比較適應，200MHz下可以提供不錯的時序，而超頻狀態下可以提供不錯的頻率，是壹個不錯的選擇。
三星TCCD顆粒：
TCCD：TCCD是另壹款經典高頻顆粒，可以在2-2-2-X的時序下穩定工作在220MHz,也可以在2.5-4-4-X的時序下以超過300MHz的頻率穩定運行，是目前工作頻率最高的DDR內存芯片。TCCD對於電壓的比較敏感，但是並不需要太高的電壓就可以完全進入高效狀態，在2.8V或者更低電壓下即可達到，幾乎適用於所有的主流主板。目前采用TCCD顆粒的內存產品在絕大多數主板上可以輕松達到DDR600的水準，可以滿足不同用戶的需要。TCCD和BH-5相比在高頻時候的參數不足可以通過更高的工作頻率來彌補。目前幾乎所有的內存頻寬記錄都是由TCCD創造的，不少采用TCCD顆粒的品牌內存已經成為超頻玩家們追捧的對象。
三星UCCC顆粒：
此外三星UCCC內存顆粒低延遲特性也為玩家所追捧，選用UCCC顆粒的DDR400內存條，默認工作時序為3-3-3-6，在不加電壓超頻模式下，可以工作在240MHz和2.5-3-3-X下。相對價格也要便宜壹些，非常適合大眾選擇。
三星DDR2系列內存芯片
GCCC是目前最常見的三星顆粒，多用於DDR2-400產品
使用三星ZCD5顆粒的三星金條DDR2-533內存在不加電壓超頻情況下，能夠以4-4-4-X的時序穩定工作在DDR2-667模式，更具備挑戰DDR2-900的實力。
目前全球速度最快的三星金條DDR2-800采用三星ZCE7顆粒
最近生產的三星顆粒上，廠家標識已經從原來的“SAMSUNG”改為“SEC”了
DDR2時代，三星全面進入到GC和ZC(G為FBGA封裝方式,Y為FBGA-LF)系列，另外還有SC和YC，並采用90nm生產工藝，使相同晶元可以生產出更多的顆粒，從而降低了成本。YC是外形最小的壹種封裝方式，性能表現也最好，現在市面上很少見到。
目前較常見到的有GCCC(多用於DDR2-400)、***5/ZCD5(多用於DDR2-533)、***6/GCE6(多用於DDR2-667)、GCF7/GCE7(多用於DDR2-800)等；這些內存顆粒在超頻方面同樣有著不容小視的實力，且仍保持低延遲風格。不過經過編號更改後(由SAMSUNG改為SEC)，默認時序參數已設定得較為保守，不過某些DDR2-533默認延遲仍設定在4-4-4-10上。通常情況下三星DDR2-533內存時序參數可以穩定在3-3-3-4上，優勢明顯，這也是為什麽三星金條內存品質非常好的壹個原因。GCCC和***5顆粒大都具備在5-5-5-15參數下超頻至DDR2-800以上水平。三星金條作為韓國三星電子的原廠原裝內存，多選用這種顆粒。
KINGMAX系列：
KINGMAX的產品以他的TINYBGA封裝形式得以聞名，同時因為技術的獨特性也壹定程度抑制了假貨的生存。在去年KINGMAX為了豐富自己的產品線推出了壹個SUPER-RAM的系列，這個系列采用了TSOP封裝技術，當然這也給仿冒工廠帶來了又壹個利潤點。
不過KINGMAX公司也意識到了這壹點，對這個系列的內存使用了非常多的防偽手段。最另人值得註意的就是PCB板正面SPD下方新設計壹顆ASIC芯片(特殊用途芯片)，該顆粒采用KINGMAX專利的TinyBGA技術進行封裝，內部存儲了ID CODE，具有全球統壹識別碼，也就是說擁有唯壹性，同時還附上了800電話的查詢貼紙，這樣假貨就無處藏身了。
Kingmax內存都是采用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。並且該封裝模式是專利產品，所以采用Kingmax顆粒制作的內存條全是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。
容量備註：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。
Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如壹條Kingmax內存條，采用16片KSV884T4A0A-7A 的內存顆粒制造，其容量計算為： 64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆字節）。
Winbond(華邦)系列
Winbond(華邦)是臺灣著名的內存芯片生產商，該公司生產的DDR內存顆粒在玩家心目中的地位是其他任何廠商沒辦法取代的，該公司的BH-5內存芯片已經成為高檔內存的代名詞。
1、BH-5
BH-5是華邦公司最出名的內存顆粒，也可以稱得上到目前位置最出名的內存顆粒！這些顆粒以其超強的內存參數而著稱，並且對於電壓相當地敏感；大多數的BH-5顆粒可以工作在2-2-2-X的參數下，當然在3.2-3.4V高壓下，部分采用BH-5顆粒的極品內存甚至工作在280MHZ的頻率，並且仍然維持2-2-2-x這樣的時序。
當然這樣體質的BH-5顆粒還比較少見，對於內存的整體要求也相當高。如果妳的主板不支持2.8V以上的內存電壓調節，采用BH-5顆粒的內存或許不太適合妳，但是對於那些狂熱的超頻玩家來說，OCZ的DDR booster可以幫助他們榨幹BH-5的所有能量，最高3.9V的電壓可以輕松讓妳的BH5達到DDR500，2-2-2-X以上，當然筆者不推薦正常使用中采用這麽高的電壓(畢竟大多數采用BH5顆粒的內存默認電壓為2.5-2.6V之間)。
2003年是BH-5顆粒產量最多的壹年，但目前華邦已經宣布停產BH-5顆粒，因此現在的市面上新售內存中采用BH-5的比例非常少，多數出現在售價超貴的高端內存中，如Mushkin Black Level ram，Kingston Hyper X，Corsair XMS，TwinMos，Buffalo以及極少數低端內存產品中；當然另外壹種尋找BH-5內存的方法就是在銷售商的庫存產品中，或二手市場，網友之間的交易來獲得。
2、CH-5
CH-5顆粒是華邦公司繼BH-5以後推出的另外壹款試用於DDR400內存產品的內存芯片，可以稱之為BH-5的縮水版，為什麽這樣說呢？因為CH-5超頻後工作參數壹般只能達到2-3-2-X，頻率在220-230MHZ左右，和BH-5相差甚遠；並且對於電壓的敏感程度比不上BH-5，高於3V的電壓通常也起不到太明顯的效果，這種現象雖然主要還是內存顆粒的本身體質來決定的，但是和內存廠商的PCB板設計，用料還是脫不了幹系的。
不同批次的CH-5顆粒的差別也很大，壹些少數CH-5顆粒同樣可以達到BH-5所能夠達到的成績，當然幾率非常小。目前華邦仍然在繼續生產CH-5顆粒，在BH-5停產後，縮水版的CH-5也逐漸被很多高端內存所選購，成為新壹代的“極品”，不少采用CH-5顆粒的內存在適當的加壓後可以工作在200MHZ 2-2-2-X的模式下，目前Corsair XMS，Kingston Hyper X以及其他幾個高端品牌的內存產品的壹些型號均采用了CH-5顆粒。
3、BH-6
BH-6作為BH-X系列的6ns版本，同樣具有非常不錯的性能，某些批次的BH-6的超頻性能甚至能夠比得上同門大哥BH-5，大多數BH-6同樣可以工作在2-2-2-2X的參數下，並且在3.2-3.4V電壓下可以穩定工作在240-250MHz。
不過由於華邦在推出BH-6顆粒不久後由於產能不足停止了該型號顆粒的生產，因此相比BH-5顆粒來說BH-6顆粒數量更為稀少。Mushkin Special 2-2-2，Corsair XMS，Kingston Hyper X，Kingston Value Ram PC2700等型號的內存產品上采用了BH-6顆粒。
4、CH-6
CH-6是華邦CH-X系列的6ns版本，雖然大家對這款華邦低端DDR顆粒不是很看好，但是它仍然繼承了華邦系列壹貫的優秀品質。CH-6在大多數情況下和CH-5很相似，不過不太容易穩定在2-2-2-X的時序，和CH-5壹樣同樣對於電壓不是很敏感，最高的工作頻率應該是220MHz，2-3-2-X的時序。CH-6面對的是性價比比較高的市場，在壹些較低端的內存產品上比較常見，如Kingston Value Ram，Corsair Value Ram以及Mushkin Basic系列。
5、UTT
UTT是華邦最新推出的DDR內存顆粒，可以說和BH-5顆粒非常相似，無論是能夠達到的極限頻率以及工作時序，和BH5不同的是UTT顆粒需要稍高的電壓才能做到這些，因此大多數超頻玩家選擇讓UTT在3.4-3.6V的電壓下工作。
UTT在壹點上做的要比BH-5顆粒出色，那就是UTT顆粒無論是雙面還是單面分布超頻性能幾乎相同，但BH-5更偏愛單面分布的方式，因此BH-5系列內存的最好超頻搭配為2x256MB,但UTT無論是2x256mb或者是2x512MB的搭配都同樣出色，這壹優勢在1GB內存成為主流容量的今天顯得特別重要，512MB的容量在對付主流的3D遊戲和軟件應用已經捉襟見肘。
UTT顆粒在辨認上顯得有點困難，可以通過印刷在顆粒表面的商標很容易地辨認出上面介紹的華邦其他四款內存芯片，但是UTT的顆粒印刷種類比較多，在尋找的時候會帶來不小的難度。UTT常見的顆粒表面印著M.Tec或者Twinmos的商標，並且擁有華邦系列內存的特征(顆粒正面左右對稱分布2個凹進去的小圓圈，內存的側面可以看到兩個短距離的金屬橫片)。
壹般具備華邦內存顆粒特征但是沒有印刷BH-5/CH-5的DDR400顆粒通常就是UTT顆粒了。壹但擁有了采用UTT顆粒的內存，妳會發現擁有1GB容量並且可以工作在275MHz 2-2-2-X時序的內存是多麽值得興奮的事。目前妳可以在OCZ Gold VX系列 OCZ Value VX系列, TwinMos Speed Premium 系列以及其他多種品牌的低價內存上看到它的身影。1GB容量的售價在150美元左右，非常超值。
華邦系列內存顆粒的特征－顆粒正面左右對稱分布2個凹進去的小圓圈，內存的側面可以看到兩個短距離的金屬橫片。
鎂光(Micron)系列顆粒
鎂光系列DDR內存顆粒以出色的超頻性能以及兼容性好而著稱，好多超頻玩家稱之為“中庸內存”，在中端領域鎂光的顆粒無人能敵。目前常見的DDR顆粒包括-5B C/-5B G系列。
1、-5B C
說實話鎂光的5B系列顆粒本來應該十分熱賣才對，這款-5B C顆粒不僅能夠達到很高的頻率並且同時擁有很棒的時序，通常可以穩定工作在230MHz，2.5-2-2-X，雖然CAS延遲不能達到2.0或者更低，但是TRD和TRP卻很低，均可穩定在時序2，當然工作頻率還可以上的更高。-5B C對於電壓同樣很敏感，在3.0V電壓下基本上可以達到最高頻率250MHz以上。
鎂光的顆粒的效能非常好，CAS2.5可以和BH-5系列CAS2相聘美，此外該款內存的異步性能非常好，對於高端的Athlon64，Intel平臺處理器FSB的提升尤其有幫助。目前多家廠商推出的PC3200內存均采用了鎂光的這款芯片，其中最引人註目的就是日本的Buffalo品牌，此外還包括Crucial，OCZ和其他品牌。
-5B G
-5B G顆粒是鎂光針對前者-5B C的改進版，雖然同樣為5ns芯片，但是所能達到的最高頻率要高於前者，著名的Crucial Ballistix系列內存就采用了這款型號的內存顆粒，不僅工作頻率高，內存時序也相當出色。
-5B G顆粒可以在保持較高頻率的同時擁有出色的時序，大多數-5B G可以工作在250-260MHz，2.5-2-2-X的時序，比大多數現代的D43/D5顆粒都要出色，目前1GB容量Crucial Ballistix的售價在250美元左右，此外妳還可以在鎂光原廠DDR400上發現這款顆粒的身影。
美光內存芯片編號的說明如下：
美光科技的編號相當詳細，這是因為它將所有的DRAM芯片編號進行了統壹，包括久遠的EDO（在壹些專用設備上仍然會使用到它）和未來的DDR-2芯片，所以也顯得參數很多，甚至在封裝類型中還體現出有鉛和無鉛（Lead Free）封裝，但好在分類還是比較清楚的。值得註意的是芯片的版本，其規則也基本與三星的壹樣，越靠後越新，但會有壹些特殊的規定，如果是LF、S2、SF、T2等標識則代表了該產品集成了兩個內核，可以認為是堆疊式（Stack）封裝）。而特殊功能則是指產品所具備的壹些功能可選項，但自刷新（Self Refresh）自從16Mb的SDRAM以後就是標準的設計，所以這壹項是無關緊要的。
在芯片結構方面，表示容量單位的字母（K、M、G，這三個字母大家應該很熟悉了吧）後面的數字就是芯片的位寬，它乘以前面的字母與數字組合的結果就是芯片的容量，單位是Bit。比如圖中的例子是32M8，代表的是位寬為8bit，乘以32M，總容量為256Mbit。
Micron（美光）內存顆粒的容量辨識相對於三星來說簡單許多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。
A2——內存內核版本號。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
以上面的芯片圖為例，可以看出它的容量是256Mbit，位寬8bit，采用TSOP-II封裝，產品版本應該是第壹代（沒有版本編號）、速度為DDR-400（3-3-3）。
實例：壹條Micron DDR內存條，采用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。
其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字節）。
Infineon(英飛淩)系列顆粒
Infineon(英飛淩)科技作為內存界的元老，其在SD時代的超頻性能無人能敵，並且具備完美的兼容性能。有人將Infineon稱為西門子（Siemens），事實上英飛淩的前身是西門子半導體公司，在SDRAM時代，我們經常看到Siemens字樣的內存，但如今Infineon早已獨立，所以今後不再叫它是西門子內存了。目前英飛淩常見的幾款DDR內存顆粒在超頻上都有不錯的表現。
1、B5
這是英飛淩的5ns內存顆粒，不過並不多見，因為僅有Corsair XMS3200 rev. 3.1這款內存使用了B5顆粒，默認設置為200MHz，2-3-3-6時序，相當不錯，總體特征和華邦的CH-6顆粒很類似。B5顆粒對電壓同樣敏感，不過沒有華邦的顆粒那麽明顯，即使加壓後超頻幅度也很壹般，在2.9-3.0V的電壓下只能工作在220-230MHz，嘗試超過這個電壓更是在浪費時間。
2、BT-6
這款是英飛淩的6ns顆粒，主要使用在PC2700內存產品上，和B5很類似，僅是在超頻幅度上略遜於後者。Kingston的KVR2700就是采用了BT-6顆粒，可以穩定工作在215MHz，2.5-3-3-11的時序；目前6ns的BT-6算是比較落伍了，不過可以輕松達到200MHz，CAS2.5的水準，如果想要達到更高的頻率和參數，就要在電壓上下功夫了。綜合來說，BT-6的好處就是以PC2700的價格帶給妳PC3200的體驗。
3、BT-5
目前最常見的英飛淩DDR400芯片就是BT-5，默認工作頻率為200MHz,3.0-3-3-8,DDR400通常優化時序為2.5-3-2-X,顯得壹般，不過BT-5擅長的是頻率制勝，並且對於電壓敏感程度很高，在2.8V以上電壓，BT-5顆粒大多可以工作在240MHz以上，少數可以達到275MHz，3-4-4-X的工作狀態。目前在很多品牌包括英飛淩原廠的PC3200內存都采用了這款BT-5顆粒，是壹款性價比不錯的產品。
4、CE-5/BE-5
在BT-5 200MHz下的時序遭人詬病以後，英飛淩的另外壹款5ns DDR顆粒進入了市場，CE-5顆粒可以穩定工作在200MHz 2-3-2-X時序，此外部分產品還可以上到260MHz以上的頻率，不過目前采用CE-5顆粒的內存品質參差不齊，壹部分產品甚至不能穩定在225MHz以上。此外最新推出的BE-5顆粒，可以單面實現512MB容量，在參數和極限速度上相比CE-5又有進步。
英飛淩內存芯片編號的說明如下：
在以前，有些人壹看開頭是HYB就以為是現代（HYUNHAI）的內存芯片，現在可就不要再出這種錯誤了。在最新的編號中，英飛淩將DDR和DDR-2的產品編號進行了統壹，比如DDR-2 400與DDR-400的速度編號是壹樣的，但在具體的產品上所代表的含義並不壹樣。英飛淩的編號比較簡明（由於DDR內存目前都是4個邏輯Bank，所以英飛淩也就取消了該編號，但估計到了DDR-2時代，由於多了8Bank的選項，估計還會有該編碼）
西門子內存顆粒(實際上還是上面的英飛淩)
目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加壹短線，然後標上工作速率。
-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；
-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。
例如：
1條Kingston的內存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆字節）。
1條Ramaxel的內存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位） × 8 片/8=128MB（兆字節）。
南亞科技（Nanya）
南亞內存芯片編號說明如下：
南亞的編號也是SDRAM、DDR SDRAM與DDR-2 SDRAM統壹在起，而且也比較簡明，在芯片結構方面，規則與美光的壹樣，並且也沒有邏輯Bank數量的編碼，在此不再詳細說明了。不過，南亞代工的內存產品也非常多，如Elixir、PQI等，但這些產品已經非常少見，並且也沒有對外公布明確的編碼規則。
爾必達（ELPIDA）
爾必達是日立與NEC各自的內存分部合並的結果，也因此在產品的編號會有兩種截然不同的規則與標識，早期以HM為開頭的很可能就是原日立分部的延續，而目前則基本轉移到了DD開頭的編號規則。近期，爾必達的聲勢比較大，產銷形勢有明顯的好轉，采用其芯片的金士頓模組已經在國內上市，相信今後我們能見到越來越多采用爾必達芯片的產品。
爾必達內存芯片編號說明如下：
爾必達的編號也是比較簡單的，需要指出的是，在速度編號的後面還有可能出現其他的編碼，比如L，就代表低能耗，I則代表工業級產品，具有寬廣的工作溫度範圍（-40至85°C），不過它們很不常見，在此就不多說了。另外，編碼中的第壹個字母E，壹般不會有，在芯片上直接以DD形狀，而E則變成了爾必達的英文名稱——ELPIDA。
茂矽（MOSEL VITELIC）
茂矽內存芯片編號說明如下：
茂矽的編號也比較詳細，而且比較明確，只是芯片結構壹欄比較難以理解，我們可以這樣看：前面的三位數是總容量，後面的兩位數則是位寬（80=8bit、40=4bit、16=16bit、32=32bit），其他的就很好理解了。
2003年世界最大十家DRAM廠商排名：
從中可以看出，排名前十的廠商是三星（SAMSUNG，韓國）、美光（Micron，美國）、英飛淩（Infineon，德國）、Hynix（韓國）、南亞（Nanya，中國臺灣）、爾必達（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中國臺灣），力晶（Powerchip，中國臺灣）、華邦（Winbond，中國臺灣）、沖電氣（Oki，日本）。
最後要強調的是，所謂的主流廠商，就是指DRAM銷售額世界排名前十位的廠商，有不少模組廠商也會自己生產內存芯片。但請註意，他們並不是真正的生產，而只是封裝！像勝創（KingMax）、金士頓（Kingston）、威剛（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出過打著自己品牌的芯片，不過它們自己並不生產內存晶圓，而是從那些大廠購買晶圓再自己或找代工廠封裝。